Компьютеры с точки зрения энергоэффективности » Память

Технология 3D TSV в памяти от компании Samsung Electronics

A14 — Wed, 26 Jan 2011 05:20:15 +0000

Один из мировых лидеров в производстве модулей памяти, компания Samsung Electronics, выпустил свою новую продукцию. Это планки памяти DDR3 объемом 8Гб, при производстве которых была использована уникальная технология 3D укладки чипов. Эта технология называется TSV, что расшифровывается, как through silicon via. Использование новой технологии делает возможным уменьшить энергопотребление серверов, при этом повышая производительность.

По заявлению представителей компании, новые модули памяти позволяют экономить до 40% электрической энергии. Также TSV значительно улучшает плотность чипа в памяти. Предварительные тесты новых модулей памяти показали великолепные результаты.

Следующее поколение серверов будет выпускаться со сниженными на 30% слотами памяти. В этой связи Samsung утверждает, что новая технология позволит добиться поднятия плотности DRAM больше, чем на 50%.

Новая технология 3D укладки TSV, позволит значительно повысить производительность серверов. Кроме того, память, произведенная на ее основе, является более дружественной к экологии.

Новая микросхема от Elpida Memory уменьшила энергопотребление в 16 раз

A14 — Tue, 13 Oct 2009 05:07:51 +0000

Ведущий японский поставщик DRAM, компания Elpida Memory, изготовила микросхему емкостью 2Гб, которая обеспечивает наивысшую плотность среди устройств, совместимых со стандартом JEDEC LPDDR2 (DDR2 Mobile RAM). Микросхема создана по 50-нанометровому КМОП-процессу. В процессе ее изготовления были использованы личные разработки компании в энергоэффективных низковольтных технологиях, поэтому устройство рассчитано на напряжение 1,2 В (а не стандартные 1,8 В у DDR Mobile RAM). Пропускная способность микросхемы возросла в два раза (до 800 Мб/с), и в состоянии покоя устройство потребляет в 16 раз меньше энергии, в отличие от DDR2 аналогичной емкости и быстродействия.

Благодаря этим характеристикам микросхема подходит для высокоуровневых сотовых телефонов и смартфонов, нетбуков и MID. Данный чип памяти можно продавать и как бескорпусный чип для использования в составе SiP (System in Package), MCP (Multi-chip Package) или в конфигурации PoP (Package on Package). В следующем месяце появятся образцы этого устройства. Массовые продажи намечены на начало следующего года.

Магнитная оперативная память работает быстрее и потребляет меньше электроэнергии

A14 — Tue, 19 Aug 2008 05:39:53 +0000

IBM и Toshiba продолжают разрабатывать оперативную память нового поколения. Они, конечно же, хотят, чтобы она работала быстрее, но помимо этого надеются, что она будет воплощать в себе две самых главных идеи в области ОЗУ:

1. Мгновенная загрузка
2. Хранение информации без постоянной подачи электропитания

Мгновенная загрузка сберегает энергию различными косвенными способами. Например, она способствует выключению компьютеров на ночь, так как их включение становится более быстрым. Хранение информации без постоянной подачи электропитания значительно уменьшает затраты электроэнергии, так как оперативная память продолжает хранить данные без постоянной подпитки электричеством. По оценкам Toshiba, MRAM будет потреблять на 10% меньше электроэнергии на мегабайт, чем нынешние ОЗУ.

К сожалению, на сегодняшний момент существует проблема работы MRAM в широком диапазоне температур. Внутри системного блока компьютера разброс температур достаточно велик. Toshiba утверждают, что они преодолели эту проблему, и ожидают, что MRAM будет доминировать на рынке к 2015 году.

Источник: ecogeek.org

При поддержке: Ищете хороший антивирус? Воспользуйтесь BitDefender. Необходим мощный и гибкий инструмент для веб-дизайна? Как насчет Adobe Dreamweaver CS3?