Ведущий японский поставщик DRAM, компания Elpida Memory, изготовила микросхему емкостью 2Гб, которая обеспечивает наивысшую плотность среди устройств, совместимых со стандартом JEDEC LPDDR2 (DDR2 Mobile RAM). Микросхема создана по 50-нанометровому КМОП-процессу. В процессе ее изготовления были использованы личные разработки компании в энергоэффективных низковольтных технологиях, поэтому устройство рассчитано на напряжение 1,2 В (а не стандартные 1,8 В у DDR Mobile RAM). Пропускная способность микросхемы возросла в два раза (до 800 Мб/с), и в состоянии покоя устройство потребляет в 16 раз меньше энергии, в отличие от DDR2 аналогичной емкости и быстродействия.

IBM и Toshiba продолжают разрабатывать оперативную память нового поколения. Они, конечно же, хотят, чтобы она работала быстрее, но помимо этого надеются, что она будет воплощать в себе две самых главных идеи в области ОЗУ:

1. Мгновенная загрузка
2. Хранение информации без постоянной подачи электропитания