Один из мировых лидеров в производстве модулей памяти, компания Samsung Electronics, выпустил свою новую продукцию. Это планки памяти DDR3 объемом 8Гб, при производстве которых была использована уникальная технология 3D укладки чипов. Эта технология называется TSV, что расшифровывается, как through silicon via. Использование новой технологии делает возможным уменьшить энергопотребление серверов, при этом повышая производительность.

Ведущий японский поставщик DRAM, компания Elpida Memory, изготовила микросхему емкостью 2Гб, которая обеспечивает наивысшую плотность среди устройств, совместимых со стандартом JEDEC LPDDR2 (DDR2 Mobile RAM). Микросхема создана по 50-нанометровому КМОП-процессу. В процессе ее изготовления были использованы личные разработки компании в энергоэффективных низковольтных технологиях, поэтому устройство рассчитано на напряжение 1,2 В (а не стандартные 1,8 В у DDR Mobile RAM). Пропускная способность микросхемы возросла в два раза (до 800 Мб/с), и в состоянии покоя устройство потребляет в 16 раз меньше энергии, в отличие от DDR2 аналогичной емкости и быстродействия.

IBM и Toshiba продолжают разрабатывать оперативную память нового поколения. Они, конечно же, хотят, чтобы она работала быстрее, но помимо этого надеются, что она будет воплощать в себе две самых главных идеи в области ОЗУ:

1. Мгновенная загрузка
2. Хранение информации без постоянной подачи электропитания